Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI4947ADY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный P, SO-8 — Даташит

Vishay SI4947ADY-T1-E3

Наименование модели: SI4947ADY-T1-E3

10 предложений от 7 поставщиков
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R
Akcel
Весь мир
SI4947ADY-T1-E3
Vishay
от 30 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4947ADY-T1-E3
Vishay
46 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI4947ADY-T1-E3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
Si4947ADY-T1-E3
Vishay
по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный P, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4947ADY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.080 at VGS = - 10 V 0.135 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 3.9 - 3.0

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 62 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -3 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Module Configuration: Dual
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4947ADYT1E3, SI4947ADY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4947ADY-T1-E3 - Vishay MOSFET, DUAL P, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России