HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4948BEY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP-CH, 60 В, 3.1 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4948BEY-T1-GE3

Наименование модели: SI4948BEY-T1-GE3

31 предложений от 15 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 2.4 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount
SI4948BEY-T1-GE3
Vishay
13 ₽
ЧипСити
Россия
SI4948BEY-T1-GE3
Vishay
55 ₽
ЭИК
Россия
SI4948BEY-T1-GE3
Vishay
от 94 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SI4948BEY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP-CH, 60 В, 3.1 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4948BEY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 60-V (D-S) 175° MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 60 RDS(on) () 0.120 at VGS = - 10 V 0.150 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 3.1 - 2.8

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 100 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -3.1 А
  • Voltage Vgs Max: 20 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4948BEYT1GE3, SI4948BEY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4948BEY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, PP-CH, 60 V, 3.1 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России