Datasheet SI9926CDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит

Купить SI9926CDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 4 903 ₽ 27 предложений от 12 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 8 А, 0.018 Ом, SOIC, Surface Mount
ЧипСити Россия	SI9926CDY-T1-E3 Vishay	48 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI9926CDY-T1-E3 Vishay	50 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI9926CDY-T1-E3 Vishay	от 77 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SI9926CDY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si9926CDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 18 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 8 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Module Configuration: Dual
• Тип корпуса: SO-8
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.5 В
• Voltage Vgs th Min: 0.6 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI9926CDYT1E3, SI9926CDY T1 E3