Datasheet SIZ710DT-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, HALF BR, DIO, 20 В, PPAIR6 — Даташит
Наименование модели: SIZ710DT-T1-GE3
Купить SIZ710DT-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 4 519 ₽ 18 предложений от 7 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR | |||
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay | 20 ₽ | ||
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay | от 46 ₽ | ||
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay | 75 ₽ | ||
SIZ710DTT1GE3 | 4 519 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN CH, HALF BR, DIO, 20 В, PPAIR6
Краткое содержание документа:
New Product
SiZ710DT
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 5500µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
- Power Dissipation Pd: 4.6 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAIR
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 30 А
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL
Варианты написания:
SIZ710DTT1GE3, SIZ710DT T1 GE3