HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SIZ710DT-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, HALF BR, DIO, 20 В, PPAIR6 — Даташит

Vishay SIZ710DT-T1-GE3

Наименование модели: SIZ710DT-T1-GE3

18 предложений от 7 поставщиков
Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
AiPCBA
Весь мир
SIZ710DT-T1-GE3
Vishay
20 ₽
Akcel
Весь мир
SIZ710DT-T1-GE3
Vishay
от 46 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIZ710DT-T1-GE3
Vishay
75 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SIZ710DTT1GE3
4 519 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, HALF BR, DIO, 20 В, PPAIR6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiZ710DT
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 5500µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
  • Power Dissipation Pd: 4.6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PowerPAIR
  • Количество выводов: 6
  • Current Id Max: 30 А

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

Варианты написания:

SIZ710DTT1GE3, SIZ710DT T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIZ710DT-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, HALF BR, DIO, 20 V, PPAIR6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России