Datasheet SSM6N7002FU(TE85LF - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 0.2 А, 60 В, US6 — Даташит

Toshiba SSM6N7002FU(TE85LF

Наименование модели: SSM6N7002FU(TE85LF

Купить SSM6N7002FU(TE85LF на РадиоЛоцман.Цены — от 2.91 до 58 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CHANNEL 60V S-MINI
Akcel Весь мир	SSM6N7002FU(TE85LF Toshiba	от 2.91 ₽
ChipWorker Весь мир	SSM6N7002FU(TE85LF Toshiba	57 ₽
AiPCBA Весь мир	SSM6N7002FU(TE85LF Toshiba	58 ₽
ЭлектроПласт Россия	SSM6N7002FU(TE85LF) Toshiba	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 0.2 А, 60 В, US6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SSM6N7002FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6N7002FU
High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
· · Small package Low ON resistance : Ron = 3.3 (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 3.2 (max) (@VGS = 5 V) : Ron = 3.0 (max) (@VGS = 10 V) Unit: mm

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 200 мА
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On Resistance Rds(on): 3 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
Рассеиваемая мощность: 300 мВт
Корпус транзистора: US6
Количество выводов: 6
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
Continuous Drain Current Id, N Channel: 200 мА
Current Id Max: 200 мА
Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
Module Configuration: Dual
On Resistance Rds(on), N Channel: 2.2 Ом
Тип корпуса: US6
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 60 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть