Datasheet SI4561DY-T1-GE3 - Vishay Даташит NPN/PNP полевой транзистор, 40 В, SOIC — Даташит

Vishay SI4561DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4561DY-T1-GE3

Купить SI4561DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 5 поставщиков MOSFET N/P-Ch MOSFET 40V 35/35mohm @ 10V
Akcel Весь мир	SI4561DY-T1-GE3 Vishay	от 67 ₽
ТаймЧипс Россия	SI4561DY-T1-GE3 Vishay	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	SI4561DY-T1-GE3	по запросу
ЗУМ-СМД Россия	SI4561DY-T1-GE3 Vishay	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: NPN/PNP полевой транзистор, 40 В, SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4561DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 40 - 40 RDS(on) () 0.0355 at VGS = 10 V 0.0425 at VGS = 4.5 V 0.035 at VGS = - 10 V 0.047 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 6.8 6.2 - 7.2 - 6.2 Qg (Typ.) 5.3

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N and P Channel
Continuous Drain Current Id: 6.8 А
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 29.5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4561DYT1GE3, SI4561DY T1 GE3