HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4913DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 9.4 А — Даташит

Vishay SI4913DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4913DY-T1-GE3

5 предложений от 5 поставщиков
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
AiPCBA
Весь мир
SI4913DY-T1-GE3
Vishay
116 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4913DY-T1-GE3
Vishay
119 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4913DY-T1-GE3
Vishay
801 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI4913DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 9.4 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4913DY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.015 at VGS = - 4.5 V 0.019 at VGS = - 2.5 V 0.024 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 9.4 - 8.4 - 7.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 24 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 8 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4913DYT1GE3, SI4913DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4913DY-T1-GE3 - Vishay DUAL P CHANNEL MOSFET, -20 V, 9.4 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России