Datasheet SI4914BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, SOIC — Даташит

Vishay SI4914BDY-T1-E3

Наименование модели: SI4914BDY-T1-E3

Купить SI4914BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 56 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков Mosfet Array 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Akcel Весь мир	SI4914BDY-T1-E3 Vishay	от 12 ₽
AiPCBA Весь мир	SI4914BDY-T1-E3 Vishay	26 ₽
Acme Chip Весь мир	SI4914BDY-T1-E3 Vishay	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	SI4914BDY-T1-E3	по запросу

Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4914BDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) Channel-1 30 Channel-2 RDS(on) () 0.021 at VGS = 10 V 0.027 at VGS = 4.5 V 0.020 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 8.4 7.4 8d 8d 6.7

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 7.4 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 16.5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.7 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4914BDYT1E3, SI4914BDY T1 E3