Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI4936BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6.9 А — Даташит

Vishay SI4936BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4936BDY-T1-GE3

14 предложений от 7 поставщиков
Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
AiPCBA
Весь мир
SI4936BDY-T1-GE3
Vishay
44 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4936BDY-T1-GE3
Vishay
53 ₽
ЭИК
Россия
SI4936BDY-T1-GE3
Vishay
от 106 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4936BDYT1GE3
5 095 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6.9 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 51 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4936BDYT1GE3, SI4936BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4936BDY-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 30 V, 6.9 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России