Datasheet SI4943BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 8.4 А — Даташит

Vishay SI4943BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4943BDY-T1-GE3

Купить SI4943BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 84 до 89 ₽ 9 предложений от 6 поставщиков Mosfet Array 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Akcel Весь мир	SI4943BDY-T1-GE3 Vishay	от 84 ₽
AiPCBA Весь мир	SI4943BDY-T1-GE3 Vishay	89 ₽
Flash-Turtle Весь мир	SI4943BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу
TradeElectronics Россия	SI4943BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 8.4 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4943BDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.019 at VGS = - 10 V 0.031 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 8.4 - 6.7

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: -8.4 А
Drain Source Voltage Vds: -20 В
On Resistance Rds(on): 19 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4943BDYT1GE3, SI4943BDY T1 GE3