HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4952DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, SOIC — Даташит

Vishay SI4952DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4952DY-T1-GE3

8 предложений от 5 поставщиков
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Akcel
Весь мир
SI4952DY-T1-GE3
Vishay
от 19 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4952DY-T1-GE3
Vishay
40 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4952DY-T1-GE3
Vishay
40 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4952DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4952DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 25 RDS(on) () 0.023 at VGS = 10 V 0.028 at VGS = 4.5 V ID (A)a 8 5.5 nC 8 Qg (Typ.)

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • On Resistance Rds(on): 28 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 16 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4952DYT1GE3, SI4952DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4952DY-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 25 V, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России