Datasheet SI4952DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4952DY-T1-GE3
Купить SI4952DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 40 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | |||
SI4952DY-T1-GE3 Vishay | от 19 ₽ | ||
SI4952DY-T1-GE3 Vishay | 40 ₽ | ||
SI4952DY-T1-GE3 Vishay | 40 ₽ | ||
SI4952DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 25 В, SOIC
Краткое содержание документа:
Si4952DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 25 RDS(on) () 0.023 at VGS = 10 V 0.028 at VGS = 4.5 V ID (A)a 8 5.5 nC 8 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 28 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 16 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4952DYT1GE3, SI4952DY T1 GE3