Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI7949DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 5 А — Даташит

Vishay SI7949DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7949DP-T1-GE3

13 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт
ChipWorker
Весь мир
SI7949DP-T1-GE3
Vishay
87 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7949DP-T1-GE3
Vishay
87 ₽
ЧипСити
Россия
SI7949DP-T1-GE3
Vishay
176 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI7949DPT1GE3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 5 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -5 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 80 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7949DPT1GE3, SI7949DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7949DP-T1-GE3 - Vishay DUAL P CHANNEL MOSFET, -60 V, 5 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России