Datasheet SI9926BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6.2 А — Даташит
Наименование модели: SI9926BDY-T1-GE3
7 предложений от 4 поставщиков Mosfet Array 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SOIC | |||
| SI9926BDY-T1-GE3 Vishay | от 225 ₽ | ||
| SI9926BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI9926BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI9926BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6.2 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI9926BDYT1GE3, SI9926BDY T1 GE3
