Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI9926CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOIC — Даташит

Vishay SI9926CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9926CDY-T1-GE3

21 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay
11 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay
37 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay
37 ₽
ЭИК
Россия
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay
от 81 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOIC

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 22 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI9926CDYT1GE3, SI9926CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9926CDY-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 20 V, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России