Datasheet SI9926CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI9926CDY-T1-GE3
Купить SI9926CDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 2 940 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8 | |||
SI9926CDY-T1-GE3 Vishay | 11 ₽ | ||
SI9926CDY-T1-GE3 Vishay | 37 ₽ | ||
SI9926CDY-T1-GE3 Vishay | 37 ₽ | ||
SI9926CDY-T1-GE3 Vishay | от 81 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI9926CDYT1GE3, SI9926CDY T1 GE3