Datasheet SI4936BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SOIC — Даташит

Купить SI4936BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 2 823 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 5.9 A; 30 V; 8-Pin SOIC
Стандарт СИЗ Россия	SI4936BDY-T1-E3 Vishay	13 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI4936BDY-T1-E3 Vishay	35 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SI4936BDY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI4936BDY-T1-E3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SOIC

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 6.9 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Семейство: 4936
• N-channel Gate Charge: 4.5nC
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 51 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 35 МОм
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4936BDYT1E3, SI4936BDY T1 E3