Datasheet SI9936BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI9936BDY
Купить SI9936BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 4.74 до 7 069 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R | |||
| SI9936BDY-T1-E3 Vishay | от 4.74 ₽ | ||
| SI9936BDY-T1-E3 Vishay | 28 ₽ | ||
| SI9936BDY-T1-E3 Siliconix | по запросу | ||
| SI9936BDY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Si9936BDY
New Product
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 35 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 4.5 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- N-channel Gate Charge: 8.6nC
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 52 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 35 МОм
- Упаковка: Reel
- Pulse Current Idm: 40 А
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
