HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BC857BS - NXP Даташит Транзистор, сдвоенный, PNP, SC-88 — Даташит

NXP BC857BS

Наименование модели: BC857BS

79 предложений от 34 поставщиков
Транзисторы биполярные.Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -45Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -50Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5Напряжение насыщения КЭ...
ЗУМ-СМД
Россия
BC857B
0.05 ₽
КТ3129Д-9 (Philips-BC857B,235)
Philips
0.30 ₽
ChipWorker
Весь мир
BC857B.215
NXP
0.74 ₽
Vess Electronics
Весь мир
BC857B
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, сдвоенный, PNP, SC-88

data sheetСкачать Data Sheet

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
  • Power Dissipation Pd: 200 мВт
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 200
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SC-88
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Маркировка: 3Ft
  • Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
  • Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
  • Количество транзисторов: 2
  • Тип корпуса: SC-88
  • Способ монтажа: SMD
  • Collector Emitter Voltage Vces: -100 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 100 мА
  • DC Current Gain Min: 200
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 200 мВт
  • Power Dissipation per device Max: 300 мВт
  • SMD Marking: 3Ft
  • Ширина ленты: 8 мм
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BC857BS - NXP TRANSISTOR, DUAL, PNP, SC-88

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России