HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PBSS2515VS - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-666 — Даташит

NXP PBSS2515VS

Наименование модели: PBSS2515VS

36 предложений от 19 поставщиков
Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, 15 В, 500 мА, 200 мВт, 200 hFE, SOT-666
PBSS2515VS,115
Philips
4.85 ₽
AiPCBA
Весь мир
PBSS2515VS
NXP
9.93 ₽
ЭИК
Россия
PBSS2515VS,115
Nexperia
от 23 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
PBSS2515VS
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, SOT-666

data sheetСкачать Data Sheet

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В
  • Power Dissipation Pd: 200 мВт
  • DC Collector Current: 500 мА
  • DC Current Gain: 200
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Частота единичного усиления типовая: 420 МГц
  • Тип корпуса: SOT-666
  • Способ монтажа: SMD
  • Collector Emitter Voltage Vces: 25 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 500 мА
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • DC Current Gain Min: 200
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
  • Power Dissipation per device Max: 200 мВт
  • SMD Marking: N9
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 15 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PBSS2515VS - NXP TRANSISTOR, NPN, SOT-666

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России