LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet MC1413BDR2G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона ARRAY, NPN, 7, 50 В, SOIC — Даташит

ON Semiconductor MC1413BDR2G

Наименование модели: MC1413BDR2G

47 предложений от 20 поставщиков
Массив биполярных транзисторов, NPN, 1.1 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
MC1413BDR2G
ON Semiconductor
5.44 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MC1413BDR2G
ON Semiconductor
12 ₽
Utmel
Весь мир
MC1413BDR2G
ON Semiconductor
от 25 ₽
Контест
Россия
MC1413BDR2G
46 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона ARRAY, NPN, 7, 50 В, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MC1413, MC1413B, NCV1413B High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
The seven NPN Darlington connected transistors in these arrays are well suited for driving lamps, relays, or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications.

Their high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500 mA permit them to drive incandescent lamps. The MC1413, B with a 2.7 kW series input resistor is well suited for systems utilizing a 5.0 V TTL or CMOS Logic.
Features http://onsemi.com
16 1
PDIP-16 P SUFFIX CASE 648

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.1 В
  • DC Collector Current: 500 мА
  • DC Current Gain Max (hfe): 1000
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +85°C
  • Количество выводов: 16
  • Количество транзисторов: 7

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MC1413BDR2G - ON Semiconductor DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50 V, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России