KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet MUN5211DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363 — Даташит

ON Semiconductor MUN5211DW1T1G

Наименование модели: MUN5211DW1T1G

41 предложений от 18 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
0.84 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.75 ₽
AiPCBA
Весь мир
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
7.45 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MUN5211DW1T1G
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MUN5211DW1T1G Series
Preferred Devices
Dual Bias Resistor Transistors
NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor.

These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1G series, two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Power Dissipation Pd: 385 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain Max (hfe): 60

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MUN5211DW1T1G - ON Semiconductor BRT TRANSISTOR, 50 V, 10K/10KOHM, SOT-363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России