Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet MUN5311DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SC88 — Даташит

ON Semiconductor MUN5311DW1T1G

Наименование модели: MUN5311DW1T1G

39 предложений от 19 поставщиков
Переключающие транзисторы - на основе резисторов 100mA Complementary 50V NPN & PNP
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
0.84 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.92 ₽
Триема
Россия
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
8.00 ₽
LifeElectronics
Россия
MUN5311DW1T1G_09
ON Semiconductor
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SC88

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MUN5311DW1T1G Series Dual Bias Resistor Transistors
Preferred Devices
NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor.

These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1G series, two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN & PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Power Dissipation Pd: 256 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 60
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MUN5311DW1T1G - ON Semiconductor BRT TRANSISTOR, 50 V, 10K/10KOHM, SC88

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России