Datasheet NTE2013 - NTE Electronics Даташит DARLINGTON ARRAY, NPN, 7, 50 В, DIP — Даташит

NTE Electronics NTE2013

Наименование модели: NTE2013

Купить NTE2013 на РадиоЛоцман.Цены — от 360 до 31 709 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Isolated 1W Single Output SM DC/DC Converters
ЧипСити Россия	NTE2013 NTE Electronics	360 ₽
AiPCBA Весь мир	NTE2013 NTE Electronics	383 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	NTE2013	31 709 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	NTE2013	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: DARLINGTON ARRAY, NPN, 7, 50 В, DIP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2011/NTE2012/NTE2013/NTE2014/NTE2015 Integrated Circuit 7-Channel Darlington Array/Driver
Description: The NTE2011 through NTE2015 are high-voltage, high-current Darlington arrays in a 16-Lead DIP type package and are comprised of seven silicon NPN Darlington pairs on a common monolithic substrate.

All units have open-collector outputs and integral diodes for inductive load transient suppression. Peak inrush currents to 600mA (NTE2011, NTE2013, NTE2014) or 750mA (NTE2012, NTE2015) are permissible, making them ideal for driving tungstun filament lamps. The NTE2011 is a general purpose array that may be used with standard bi-polar digital logic using external current limiting, or with most PMOS or CMOS directly. This device is pinned with outputs opposite inputs to facilitate printed wiring board layouts. The NTE2012 is designed for use with 14V to 25V PMOS devices. Each input has a Zener diode and resistor in series to limit the input current to a safe value in that application. The

Спецификации:

Количество выводов: 16
Device Type: Darlington
Способ монтажа: Through Hole
Напряжение питания: 30 В
Выходное напряжение: 50 В
Выходной ток: 600 мА
Напряжение питания максимальное: 5 В

RoHS: есть