Datasheet PBSS3515VS - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-666 — Даташит

Купить PBSS3515VS на РадиоЛоцман.Цены — от 4.85 до 85 ₽ 22 предложений от 15 поставщиков транз: BISS (2) PNP 15V 0,5A hоэ min 200, 300mW 250МГц SOT666 упаковка-4000
Стандарт СИЗ Россия	PBSS3515VS,115 Philips	4.85 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PBSS3515VS115 NXP	7.40 ₽	Купить
ЭИК Россия	PBSS3515VS,115 Nexperia	от 23 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	PBSS3515VS;115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, SOT-666

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В
• Power Dissipation Pd: 200 мВт
• DC Collector Current: -500 мА
• DC Current Gain: 200
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-666
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Частота единичного усиления типовая: 280 МГц
• Тип корпуса: SOT-666
• Способ монтажа: SMD
• Collector Emitter Voltage Vces: -25 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: 500 мА
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 200
• Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
• Power Dissipation per device Max: 200 мВт
• SMD Marking: 35
• Обратный ток перехода база-коллектор: 15 В

RoHS: есть