Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRLHS6342TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 8.7 А, PQFN22 — Даташит

International Rectifier IRLHS6342TR2PBF

Наименование модели: IRLHS6342TR2PBF

12 предложений от 12 поставщиков
N-Channel 30 V 8.7A (Ta), 19A (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
IRLHS6342TR2PBF,Nкан 30В 8.5А 15.5мОм PQFN2x2
Infineon
7.62 ₽
Триема
Россия
IRLHS6342TR2PBF MOSFT 30V 8.5A 15.5mOhm 2.5V
17 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRLHS6342TR2PBF
Infineon
36 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRLHS6342TR2PBF
Infineon
36 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 8.7 А, PQFN22

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96339A
IRLHS6342PbF
VDS VGS RDS(on) max
(@VGS = 4.5V)
30 ±12 15.5 11 12

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.012 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 6
  • Voltage Vgs Max: 12 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IR2101PBF

На английском языке: Datasheet IRLHS6342TR2PBF - International Rectifier MOSFET, W DIODE, N CH, 30 V, 8.7 A, PQFN22

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России