Datasheet IRG7PH35UD1PBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC — Даташит

Купить IRG7PH35UD1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 89 до 661 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Стандарт СИЗ Россия	IRG7PH35UD1PBF Infineon	89 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRG7PH35UD1PBF Infineon	230 ₽	Купить
Софт Логистик Россия	IRG7PH35UD1PBF, IGBT 1200В 25А 8-30кГц TO247AC Infineon	585 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRG7PH35UD1PBF Infineon	661 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97455
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRG7PH35UD1PbF IRG7PH35UD1-EP
VCES = 1200V I NOMINAL = 20A
Features

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-247AC
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Рассеиваемая мощность максимальная: 179 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M
• Weller - 0051383199