Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR10H100CT - Taiwan Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 100 В

Taiwan Semiconductor MBR10H100CT

Наименование модели: MBR10H100CT

Производитель: Taiwan Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 100 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR10H100CT - MBR10H200CT
Pb
RoHS
COMPLIANCE
10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

Спецификации:

  • Diode Configuration: Common Cathode
  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100 В
  • Forward Current If(AV): 10 А
  • Forward Voltage VF Max: 950 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 120 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Температура перехода минимальная: +65°C
  • Pin Configuration: 1(A1), 2(K1+K2), 3(A2)
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Current Ifsm: 120 А
  • Current Ir Max: 5 мкА
  • Forward Voltage: 850 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS

На английском языке: Datasheet MBR10H100CT - Taiwan Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, 10 A, 100 V

    DIODE, SCHOTTKY, 10A, 100V (145-3401)
    Цены на MBR10H100CT
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанVishayMBR10H100CT76,40 руб.
    КремнийMBR10H100CT-E3по запросу
    ПолигонTaiwan SemiconductorMBR10H100CT TAIWAN SEMICONDUCTORпо запросу
    КонтестGeneral SemiconductorMBR10H100CT-E3/45по запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургON SemiconductorMBR10H100CTпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс