Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR10H100CTG - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 100 В, TO-220

ON Semiconductor MBR10H100CTG

Наименование модели: MBR10H100CTG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 100 В, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR10H100CT SWITCHMODE] Power Rectifier 100 V, 10 A
Features and Benefits
· · · · · · ·
Low Forward Voltage: 0.61 V @ 125°C Low Power Loss/High Efficiency High Surge Capacity 175°C Operating Junction Temperature 10 A Total (5.0 A Per Diode Leg) Guard-Ring for Stress Protection Pb-Free Package is Available
http://onsemi.com

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Diode Configuration: Dual Common Cathode
  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100 В
  • Forward Current If(AV): 10 А
  • Forward Voltage VF Max: 850 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 180 А
  • Тип корпуса: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Current Ifsm: 180 А
  • Current Ir Max: 3.5 мкА
  • Forward Voltage: 730 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Taiwan Semiconductor - MBRF10H100CT

На английском языке: Datasheet MBR10H100CTG - ON Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, 10 A, 100 V, TO-220

    DIODE, SCHOTTKY, 10A, 100V, TO-220 (143-1040)
    Цены на MBR10H100CTG
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанON SemiconductorMBR10H100CTG36,50 руб.
    ДКО ЭлектронщикON SemiconductorMBR10H100CTGпо запросу
    ПолигонON SemiconductorMBR10H100CTG ON SEMICONDUCTORпо запросу
    ТаймЧипсON SemiconductorMBR10H100CTGпо запросу
    КремнийMBR10H100CTGпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс