Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR20H150CT - Taiwan Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 20 А, 150 В

Taiwan Semiconductor MBR20H150CT

Наименование модели: MBR20H150CT

Производитель: Taiwan Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 20 А, 150 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR20H100CT ­ MBR20H200CT
Pb
RoHS
COMPLIANCE
20.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

Спецификации:

  • Diode Configuration: Dual Common Cathode
  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 150 В
  • Forward Current If(AV): 20 А
  • Forward Voltage VF Max: 970 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 150 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Температура перехода минимальная: +65°C
  • Pin Configuration: 1(A1), 2(K1+K2), 3(A2)
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Current Ifsm: 150 А
  • Current Ir Max: 5 мкА
  • Forward Voltage: 880 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - TV5G
  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Multicomp - MK3306

На английском языке: Datasheet MBR20H150CT - Taiwan Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, 20 A, 150 V

    Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки Защита от перенапряжения Малая потеря мощности, высокая эффективность Малое падение прямого напряжения Малый ток...
    Цены на MBR20H150CT
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанVishayMBR20H150CT92,70 руб.
    ПолигонTaiwan SemiconductorMBR20H150CT TAIWAN SEMICONDUCTORпо запросу
    КонтестGeneral SemiconductorMBR20H150CTпо запросу
    КремнийMBR20H150CT-E3/45по запросу
    ЭлектроПластTaiwan SemiconductorMBR20H150CTпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс