Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR10H200CT - Taiwan Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 200 В

Taiwan Semiconductor MBR10H200CT

Наименование модели: MBR10H200CT

Производитель: Taiwan Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 200 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR10H100CT - MBR10H200CT
Pb
RoHS
COMPLIANCE
10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

Спецификации:

  • Diode Configuration: Dual Common Cathode
  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 200 В
  • Forward Current If(AV): 10 А
  • Forward Voltage VF Max: 970 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 120 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Температура перехода минимальная: +65°C
  • Pin Configuration: 1(A1), 2(K1+K2), 3(A2)
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Current Ifsm: 120 А
  • Current Ir Max: 5 мкА
  • Forward Voltage: 880 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Multicomp - MK3306

На английском языке: Datasheet MBR10H200CT - Taiwan Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, 10 A, 200 V

    Диоды и выпрямители Шоттки 10 Amp 200 Volt Dual
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанTaiwan SemiconductorMBR10H200CT C02 837 руб.
    ДКО ЭлектронщикMBR10H200CTпо запросу
    ПолигонTaiwan SemiconductorMBR10H200CT TAIWAN SEMICONDUCTORпо запросу
    КремнийMBR10H200CT C0по запросу
    Океан ЭлектроникиTaiwan SemiconductorMBR10H200CTпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс