Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet GA035XCP12-247 - Genesic Semiconductor Даташит IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 35 А, TO-247

Genesic Semiconductor GA035XCP12-247

Наименование модели: GA035XCP12-247

Производитель: Genesic Semiconductor

Описание: IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 35 А, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage Vces: 1200 В
  • DC Collector Current: 35 А
  • Количество выводов: 3
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
  • Тип корпуса: 3-TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet GA035XCP12-247 - Genesic Semiconductor IGBT SILICON CARBIDE (SiC) DIODE COPACK, 1200 V, 35 A, TO-247

    Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A SIC IGBT CoPak
    ПоставщикПроизводительЦена
    LifeElectronicsGenesic Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс