Datasheet GB05SLT12-263 - Genesic Semiconductor Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 1. — Даташит
Наименование модели: GB05SLT12-263
7 предложений от 7 поставщиков GENESIC SEMICONDUCTOR GB05SLT12-220 Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 5 A, 35 nC, TO-220AC | |||
| GB05SLT12-252 Genesic Semiconductor | 634 ₽ | ||
| GB05SLT12-220 Genesic Semiconductor | по запросу | ||
| GB05SLT12-220 Genesic Semiconductor | по запросу | ||
| GB05SLT12-247 Genesic Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Genesic Semiconductor
Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 1.
Скачать Data SheetСпецификации:
- Diode Type: SiC Schottky
- Forward Voltage VF Max: 1.8 В
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1.2 кВ
- Количество выводов: 2
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Тип корпуса: TO-263
Варианты написания:
GB05SLT12263, GB05SLT12 263
