Datasheet IDD03SG60C - Infineon Даташит Диод, Шоттки, 600 В, 3 А, TO252-3 — Даташит

Infineon IDD03SG60C

Наименование модели: IDD03SG60C

Купить IDD03SG60C на РадиоЛоцман.Цены — от 112 до 194 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков INFINEON IDD03SG60C Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, thinQ 3G 600V Series, Single, 600V, 3A, 3.2NC, TO-252
T-electron Россия и страны СНГ	IDD03SG60C Infineon	112 ₽
ЧипСити Россия	IDD03SG60C Infineon	141 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IDD03SG60C TR	по запросу
Acme Chip Весь мир	IDD03SG60C Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Диод, Шоттки, 600 В, 3 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IDD03SG60C
3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features · Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide · Switching behavior benchmark · No reverse recovery / No forward recovery · Temperature independent switching behavior · High surge current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Breakdown voltage tested at 20mA2) · Optimized for high temperature operation · Lowest Figure of Merit QC/IF · Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like: · SMPS e.g.; CCM PFC · Motor Drives; Solar Applications; UPS Product Summary V DC QC I F; T C< 130 °C 600 3.2 3 V nC A
Type IDD03SG60C
Package PG-TO252-3

Спецификации:

Diode Type: Schottky
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
Forward Current If(AV): 3 А
Forward Voltage VF Max: 2.3 В
Reverse Recovery Time trr Max: 10 нс
Forward Surge Current Ifsm Max: 11.5 А
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Тип корпуса: TO-252
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

CHEMTRONICS - CW8400
EREM - 00SA
Electrolube - IPA01L
MULTICORE (SOLDER) - 698840