Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MBR12020CT - Genesic Semiconductor Даташит Диод, RECTIF, 20 В, 120 А, TWIN TOWER

Genesic Semiconductor MBR12020CT

Наименование модели: MBR12020CT

Производитель: Genesic Semiconductor

Описание: Диод, RECTIF, 20 В, 120 А, TWIN TOWER

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR12020CT thru MBR12040CTR
Silicon Power Schottky Diode
Features
· High Surge Capability · Types up to 100 V VRRM Twin Tower Package
VRRM = 20 V - 100 V IF = 120 A

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 20 В
  • Forward Current If(AV): 60 А
  • Forward Voltage VF Max: 650 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 800 А
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +175°C
  • Тип корпуса: Twin Tower
  • Количество выводов: 2

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - HTS35SL
  • H S MARSTON - 150CN-01250-A-200
  • Multicomp - MK3311

На английском языке: Datasheet MBR12020CT - Genesic Semiconductor DIODE, RECTIF, 20 V, 120 A, TWIN TOWER

    DIODE MODULE 20V 120A D-67
    Цены на MBR12020CT
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанGenesic Semiconductor1 241 руб.
    ТаймЧипсGenesic Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс