Datasheets - Полевые транзисторы Microchip

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. VP0550N3-G — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip VP0550 VP0550N3-G
   В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
2. LND250K1-G — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip LND250 LND250K1-G
   N-канальный режим истощения DMOS FET

3. LND150K1-G — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip LND150 LND150K1-G
   N-канальный режим истощения DMOS FET
4. LND01K1-G — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip LND01 LND01K1-G
   МОП-транзистор, режим бокового истощения N-канала

5. DN3765K4-G — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip DN3765 DN3765K4-G
   650 В, 8 Ом, N-канальный, режим истощения, вертикальный DMOS FET
6. DN3545 — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip DN3545
   450 В, 20 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
7. DN3535 — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip DN3535
   350 В, 10 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
8. DN3525N8-G — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip DN3525 DN3525N8-G
   250 В, 6 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
9. DN3145N8-G — Datasheet Microchip
   Полевые транзисторы Microchip DN3145 DN3145N8-G
   450 В, 60 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
10. DN3135K1-G — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN3135 DN3135K1-G
    350 В, 35 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
11. DN2625DK6-G — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN2625 DN2625DK6-G
    250 В, 3,5 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
12. DN2540N3-G — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN2540 DN2540N3-G
    400 В, 25 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
13. DN2535N3-G — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN2535 DN2535N3-G
    350 В, 25 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
14. DN2530N3-G — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN2530 DN2530N3-G
    300 В, 12 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
15. DN2450 — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN2450
    500 В, 10 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET
16. DN2470K4-G — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN2470 DN2470K4-G
    700 В, 42 Ом, N-канальный, режим истощения, вертикальный DMOS FET
17. DN1509 — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip DN1509
    90 В, 6 Ом, N-канальный, Режим Истощения, Вертикальный DMOS FET
18. MIC4609YWM-TR — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip MIC4609 MIC4609YWM-TR
    600V three phase MOSFET or IGBT driver. The MIC4609 features a 300ns typical input filtering time to prevent unwanted pulses and a 550ns of propagation delay. The MIC4609 has TTL input thresholds. The robust operation of the MIC4609 ensures that ...
19. 2N6660 — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip 2N6660
    60V, 3 Ohm, N-Channel, Enhancement-Mode, Vertical DMOS FET
20. MIC2514YM5-TR — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip MIC2514 MIC2514YM5-TR
    The MIC2514 is an integrated high-side power switch that consists of a TTL compatible input and protected Pchannel MOSFET

Сортировать по: релевантность / дата