20 В, 1 А P-канальный траншейный МОП-транзистор Полевой транзистор (FET) в режиме улучшения P-канала в небольшом пластиковом корпусе SOT323 (SC-70) для поверхностного монтажа (SMD) с использованием технологии Trench MOSFET.
N-канальный 40-вольтовый MOSFET в корпусе LFPAK88 с RDS(on) 0.55 мОм Постоянный ток 500 А, управление затвором стандартного уровня, N-канальный MOSFET в режиме улучшения в корпусе LFPAK88. Семейство NextPowerS3, использующее уникальную технологию ...
Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering ...
Automotive qualified logic level N-channel MOSFET in an LFPAK33 package using Trench 9 TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 for use in high performance automotive applications.
Automotive qualified standard level N-channel MOSFET in an LFPAK33 package using Trench 9 TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 for use in high performance automotive applications.
Standard level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in a D2PAK package qualified to 175 °C. Part of Nexperia's NextPower Live portfolio, the PSMN3R7-100BSE delivers very low R DSon and a very strong linear-mode (SOA) performance.
SOT1023A with improved creepage and clearance to meet UL2595 requirements 280 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 150В °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed ...