KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheets - Полевые транзисторы Nexperia

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "Nexperia"
Найдено: 17 Вывод: 1-17

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Nexperia PMF170XP,115
    20 В, 1 А P-канальный траншейный МОП-транзистор Полевой транзистор (FET) в режиме улучшения P-канала в небольшом пластиковом корпусе SOT323 (SC-70) для поверхностного монтажа (SMD) с использованием технологии Trench MOSFET.
  2. Datasheet Nexperia PSMNR55-40SSHJ
    N-канальный 40-вольтовый MOSFET в корпусе LFPAK88 с RDS(on) 0.55 мОм Постоянный ток 500 А, управление затвором стандартного уровня, N-канальный MOSFET в режиме улучшения в корпусе LFPAK88. Семейство NextPowerS3, использующее уникальную технологию ...
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650
  1. Datasheet Nexperia BUK7S0R5-40HJ
    N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
  2. Datasheet Nexperia PMN50XP,165
    P-канальный полевой транзистор TrenchMOS с чрезвычайно низким уровнем
  1. Datasheet Nexperia BUK9V13-40HX
    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
  2. Datasheet Nexperia BUK7V4R2-40HX
    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор стандартного уровня 40 В, 4,2 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) Двойной N-канальный МОП-транзистор стандартного уровня в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
  3. Datasheet Nexperia PMV20ENR
    30 В, N-канальный траншейный МОП-транзистор
  4. Datasheet Nexperia PHK12NQ03LT,518
    N-channel TrenchMOS logic level FET
  5. Datasheet Nexperia BSP122,115
    N-channel vertical D-MOS logic level FET
  6. Datasheet Nexperia GAN063-650WSAQ
    650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering ...
  7. Automotive qualified logic level N-channel MOSFET in an LFPAK33 package using Trench 9 TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 for use in high performance automotive applications.
  8. Automotive qualified standard level N-channel MOSFET in an LFPAK33 package using Trench 9 TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 for use in high performance automotive applications.
  9. Standard level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in a D2PAK package qualified to 175 °C. Part of Nexperia's NextPower Live portfolio, the PSMN3R7-100BSE delivers very low R DSon and a very strong linear-mode (SOA) performance.
  10. SOT1023A with improved creepage and clearance to meet UL2595 requirements 280 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 150В °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed ...
  11. SOT1023A with improved creepage and clearance to meet UL2595 requirements. 300 Amp logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising Nexperia's unique 'њSchottkyPlus'ќ technology delivers ...
  12. N-channel TrenchMOS logic level FET
  13. N-канальный MOSFET логический уровень 25 В 0,99 мОм в LFPAK с использованием технологии NextPower

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России