Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
МОП-транзистор HEXFET Усовершенствованные силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET компании International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади ...
Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 100 В, 170 мА, 6 Ом Этот N-канальный полевой МОП-транзистор изготовлен с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот продукт был разработан для ...
N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 100 В, 170 мА, 6 Ом Этот N-канальный полевой МОП-транзистор изготовлен с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот продукт был разработан для ...
