RLBN.ru - electronics banner network

Транзисторы для силовой электроники

БСИТ-транзисторы

КП810 | КП953 | КП959 | КП965 | КП971 | КП973

БСИТ (Биполярный транзистор со статической индукцией, Bipolar Static Induction Transistor)- транзисторы кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом со статической индукцией. Предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и в других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовых корпусах.

Наимен. изделий N ТУ Pрасс. (Вт) Тип канала Тип корпуса
КП 810 А/ Б/ В АДБК 432 150.375 ТУ 50 n ТО-218 (КТ-43-2)
КП 946 А/ Б АДБК 432 150.183 ТУ 40 n ТО-220 (КТ-28-2)
КП 948 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 150.203 ТУ 20 n ТО-220 (КТ-28-2)
КП 953 А/ Б/ В/ Г/ Д АДБК 432 140.347 ТУ 50 n ТО-218 (КТ-43-2)
КП 954 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 140.348 ТУ 40 n ТО-220 (КТ-28-2)
КП 955 А/ Б АДБК 432 140.349 ТУ 70 n ТО-218 (КТ-43-2)
КП 956 А/ Б АДБК 432 140.350 ТУ 10 n ТО-126 (КТ-27-2)
КП 957 А/ Б/ В АДБК 432 140.351 ТУ 10 n ТО-126 (КТ-27-2)
КП 958 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 150.376 ТУ 70 n ТО-218 (КТ-43-2)
КП 959 А/ Б/ В АДБК 432 150.377 ТУ 7 n ТО-126 (КТ-27-2)
КП 960 А/ Б/ В АДБК 432 150.378 ТУ 7 p ТО-126 (КТ-27-2)
КП 961 А/ Б/ В/ Г/ Д/ Е АДБК 432 150.379 ТУ 10 n ТО-126 (КТ-27-2)
КП 964 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 150.438 ТУ 40 p ТО-220 (КТ-28-2)
КП 965 А/ Б/ В/ Г/ Д АДБК 432 150.439 ТУ 10 n ТО-126 (КТ-27-2)
КП 971 А/ Б   100 n ТО-218 (КТ-43-2)
КП 972 А/ Б   100 n ТО-218 (КТ-43-2)
КП 973 А/ Б   100 n ТО-218 (КТ-43-2)
ТО-218, ТО-220 Цоколевка корпуса КТ-43-2 (ТО-218)
КТ-28-2 (ТО-220)

Графическое изображение БСИТ

1-затвор
2-сток
3-исток
ТО-126 Цоколевка корпуса КТ-27-2
(ТО-126)
1-исток
2-сток
3-затвор

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ БСИТ

Наимен.
БСИТ
Ic max
пост.
(А)
UcиR
max
(B)
UcиО
(B)
Uси нас (В) Iиз ут
Uзи=4В
(мА)
tрасс
(мкс)
(тип)
Режим Значение
Ic
КП 810 А
Б
В
7
7
5
1500
1300
1000
650
650
700


0.4А
0.4А
0.40
0.40
1.00
0.5
0.5
0.5
2.1
2.1
2.1
КП 946 А
Б
15
15
500
500
400
200


0.70
0.70
0.5
0.5
0.7
0.7
КП 948 А
Б
В
Г
5
5
5
5
800
800
700
600
400
300
370
250



0.4А
0.4А
0.4А
0.4А
0.30
0.30
0.30
0.30
0.5
0.5
0.5
0.5
1.3
1.3
1.3
1.3
КП 953 А
Б
В
Г
Д
15
15
15
15
15
800
800
700
600
800
450
300
450
300
450
7.5А
7.5А
7.5А
7.5А
7.0А
1.5А
1.5А
1.5А
1.5А
1.0А
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
КП 954 А
Б
В
Г
20
20
20
20
150
100
60
20
80
50
40
20
10А
10А
10А
10А
0.5А
0.5А
0.5А
0.5А
0.30
0.30
0.25
0.25
0.30
0.30
0.30
0.30
0.30
0.30
0.30
0.30
КП 955 А
Б
20
20
700
450
450
200
15А
15А

0.60
0.60
0.5
0.5
1.2
1.2
КП 956 А
Б
2
2
450
450
350
200
0.5А
0.5А
50mA
50mA
0.30
0.30
0.1
0.1
0.8
0.8
КП 957 А
Б
В
1
1
1
800
800
700
400
300
400
0.5А
0.5А
0.5А
0.1А
0.1А
0.1А
0.40
0.40
0.40
0.1
0.1
0.1
0.7
0.7
0.7
КП 958 А
Б
В
Г
30
30
30
20
150
100
60
20
80
60
40
20
10А
10А
10А
10А
0.2А
0.2А
0.2А
0.2А
0.20
0.20
0.20
0.20
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
КП 959 А
Б
В
0.2
0.2
0.2
300
250
200
220
200
120
7mA
7mA
7mA
1mA
1mA
1mA
0.40
0.40
0.40
0.02
0.02
0.02
 
КП 960 А
(p-канал) Б
В
0.2
0.2
0.2
300
250
200
220
200
120
7mA
7mA
7mA
1mA
1mA
1mA
0.40
0.40
0.40
0.02
0.02
0.02
 
КП 961 А
Б
В
Г
Д
Е
5
5
5
5
5
5
250
160
120
60
20
10
120
80
60
40
20
10





0.5А
0.4А
0.4А
0.4А
0.4А
0.4А
2mА
0.65
0.55
0.45
0.40
0.40
0.40
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.18
0.18
0.18
0.18
0.18
0.18
КП 964 А
(p-канал) Б
В
Г
20
20
20
20
150
100
60
20
80
60
25
15
10А
10А
10А
10А



0.30
0.30
0.25
0.25
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
0.5
0.5
0.5
КП 965 А
(p-канал) Б
В
Г
Д
5
5
5
5
5
250
160
120
60
20
140
100
80
50
20
0.5А
0.5А
0.5А
0.5А
0.5А
2.5mА
2.5mА
2.5mА
2.5mА
2.5mА
0.40
0.30
0.30
0.20
0.20
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.18
0.18
0.18
0.18
0.18
КП 971 А
Б
25
25
900
800
600
450
15А
15А

0.60
0.60
0.5
0.5
2.5
2.0
КП 972 А 40 150            
КП 973 А
Б
30
30
700
600
400
400
20А
20А

0.60
0.80
0.5
0.5
2.0
2.0

ОСОБЕННОСТИ

БСИТ представляет собой транзистор со статической индукцией с нормально закрытым вертикальным каналом при нулевом смещении на затворе. Конструкция кристалла при обобщенном рассмотрении представляет собой предельный вариант обычного биполярного транзистора с обедненной базой. БСИТ работает при прямом смещении на затворе, и физика его работы близка к физике работы обычных биполярных транзисторов, однако в силу конструктивных особенностей имеет ряд преимуществ:

При использовании БСИТ в высокочастотных источниках вторичного питания и других быстродействующих схемах РЭА необходимо обращать внимание на "чистоту" монтажа с целью исключения "звона", а также учитывать при расчетах, что БСИТ обладают более высоким коэффициентом усиления, особенно при работе в активном режиме, что требует уменьшения тока запуска. В ключевых схемах , учитывая высокую скорость нарастания и спада тока, для управления необходимо применять также быстродействующие транзисторы (желательно, БСИТ).

Кристалл транзистора за счет более высокой удельной плотности рабочего тока имеет площадь в 1.5-2 раза меньше, чем биполярный транзистор с аналогичными характеристиками, что также определяет экономическое преимущество в производстве. Перспективно дальнейшее улучшение параметров транзистора за счет использования вместо диффузионного затвора- затвора Шоттки.

КП810 - замена КТ872.
КП959 - отличная замена КТ940, при этом с двое большей граничной частотой и вчетверо меньшей емкостью коллектора.
КП971, КП973 - замены транзисторов КТ878, КТ847.

ТРЕБОВАНИЯ К НАДЕЖНОСТИ

Транзисторы для силовой электроники