Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,531
Репутация: 260
|
Цитата:
Ю.А. Штань, В.Ю.
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 19.01.2008
Сообщений: 149
Репутация: 44
|
Схема по рис.2 из "Барьерные генераторы ВЧ на биполярных транзисторах" http://www.rlocman.ru/shem/schematics.html?di=32695
Притом ёмкость коллекторного перехода здесь не причём: колебательный контур в основе образован индуктивностью и конденсатором 22пФ, включённый одним из выводов через постоянно открытый база-эммитерный переход. Частота генерации: F=1/2П(LC)1/2 Микрофон работает как микроисточник тока, каждая модель определяет свой уровень. P.S. Ёмкость коллекторного перехода, наверное, играет роль только в процесах модуляции: изменяемый ток микрофона меняет ток коллектора и соответственно ёмкость перехода, которая дополнительно с 22пФ впрямую подключена к индуктивности. В итоге происходит ЧМ-модуляция.
Последний раз редактировалось -Mike-; 27.06.2011 в 15:20.
|
||
Оценка
|
Ответ |
|
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |