Транзисторы CoolMOS™ с диодами CFD7 для резонансных преобразователей с высоким КПД

Специфическая особенность полевых транзисторов с изолированным затвором – наличие встроенного антипараллельного диода между стоком и истоком, что является одновременно их преимуществом и недостатком. Например, в полумостовых и мостовых схемах антипараллельные диоды фиксируют амплитуду напряжения на стоке транзисторов во время переходных процессов, что позволяет обойтись без дополнительных супрессоров в силовой части. А вот в преобразователях переменного напряжения наличие неуправляемого диода не позволяет блокировать протекание тока в обратном направлении, что вынуждает строить силовые ключи на основе как минимум двух приборов, тем самым снижая КПД системы. В любом случае, независимо от того, нужен этот диод или нет, его характеристики должны быть как можно лучше, ведь иначе произойдет увеличение потерь, что, в свою очередь, повлечет за собой ухудшение всех остальных показателей качества преобразователей.

В этой статье идет речь об особенностях полевых транзисторов семейства CoolMOS™ с антипараллельными диодами CFD7, разработанными компанией Infineon – в качестве замены прекрасно зарекомендовавшими себя приборам этой же линейки, но с диодами CFD2. Данные приборы, оптимизированные по многим параметрам, имеют малые величины заряда обратного восстановления диода и сопротивления открытого канала.

Как бы тщательно ни проектировались резонансные преобразователи с мягким переключением, в полумостовых и мостовых схемах всегда есть высокая вероятность возникновения режимов жесткой коммутации, например, при резкой смене напряжения питания или авариях в цепи нагрузки.

Подробнее>>