На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Быстрое переключение напряжения на диоде

Страница 1 из 2
Новичок
 
Регистрация: 05.11.2013
Сообщений: 60
Репутация: 10
0 18
0 0
 
17.10.2014 23:56 #1
Допустим, что я быстро переключаю напряжение на диоде на обратное, меньше, чем напряжение пробоя, но довольно высокое.
Чтобы понять, что значить быстро рассмотрим например LC схему соединенными через диод. При том, диод запирает конденсатор.
Вроде,время роста обратного напряжение мгновенно, а запирание диода ограниченно лишь паразитной емкостью диода.
1) Это так или есть еще другие параметры? (на индуктивность забиваем).
Для простоты будем рассматривать приложенную схему с идеальным импульсным источником напряжения( генерит "тэта" импульсы).
При этом в первый момент времени будет течь очень большой обратный ток, значительно больше, чем предельно допустимый,
2) не сгорит ли диод или это нормальный режим работы?
3) Какой заряд протечет через диод во время обратного восстановления? ( если диод все же сгорает при импульсном изменении напряжения, пусть, есть V(t) при котором все ок, как найти заряд?)
Спасибо.
Вложения
Тип файла: pdf circuit11.pdf (5.9 Кб, 0 просмотров)
Последний раз редактировалось Naglesh; 19.10.2014 в 12:33.
Оценка
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей.
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,268
Репутация: 2207
2,193 1,125
40 83
 
18.10.2014 00:04 #2
Naglesh
У полупроводниковых приборов есть ещё такой параметр - время рассасывания неосновных носителей заряда. Именно этот параметр определяет время переключения, как для диодов, так и транзисторов.
Оценка
Специалист
 
Аватар для vadtom
 
Регистрация: 22.11.2012
Адрес: Томск
Сообщений: 822
Репутация: 243
228 141
5 3
 
18.10.2014 09:32 #3
Без схемы - только скрип мозгов в разных вариантах
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 05.11.2013
Сообщений: 60
Репутация: 10
0 18
0 0
 
19.10.2014 11:50 #4
Цитата:
Сообщение от lllll
Naglesh
У полупроводниковых приборов есть ещё такой параметр - время рассасывания неосновных носителей заряда. Именно этот параметр определяет время переключения, как для диодов, так и транзисторов.
Время, разве, не зависит напрямую от обратного напряжения (V) (просто, как заряжающиеся током емкость ? {в первый момент I=V/R, где R паразитное сопротивление диода.}
Хорошо пусть мне дано время trr обратного восстановления(reverse recovery) и заряд(емкость)обратного восстановления Qrr при определенном Vr. Так же дано обратное напряжение V(t). Как найти протекающий при этом через диод заряд? Для простоты добавил схему в вопрос.
Последний раз редактировалось Naglesh; 19.10.2014 в 12:13.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 05.11.2013
Сообщений: 60
Репутация: 10
0 18
0 0
 
19.10.2014 11:56 #5
Цитата:
Сообщение от vadtom
Без схемы - только скрип мозгов в разных вариантах
Добавил, просто схема не важна, т.к. пытаюсь понять свойства диода.
Оценка
Специалист
 
Аватар для vadtom
 
Регистрация: 22.11.2012
Адрес: Томск
Сообщений: 822
Репутация: 243
228 141
5 3
 
20.10.2014 05:46 #6
Как раз при рассматривании подключенных LC придется рассматривать "Переходные процессы в линейных электрических цепях" и "Законы коммутации".
http://toe.samgtu.ru/sites/toe.samgt...8b369/P.Pr.pdf
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 05.11.2013
Сообщений: 60
Репутация: 10
0 18
0 0
 
22.10.2014 14:09 #7
Цитата:
Сообщение от vadtom
Как раз при рассматривании подключенных LC придется рассматривать "Переходные процессы в линейных электрических цепях" и "Законы коммутации".
http://toe.samgtu.ru/sites/toe.samgt...8b369/P.Pr.pdf
Безусловно! Я просто к тому, что для меня не важна, LC я предложил именно в качестве примера импульсного переключения напряжения, чтобы было понятно, что значит быстро. Я хочу понять, какова максимально резкая( с максимальной производной) функция V(t) -обратное напряжение при условии, что работает только сам диод и не каких больше индуктивностей нет, ну и обратный ток I(t) тоже бы не помешал.))
Оценка
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,268
Репутация: 2207
2,193 1,125
40 83
 
22.10.2014 15:17 #8
Naglesh
А посмотреть datasheet на диоды не позволяют убеждения?
В справочниках эта инф есть.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 05.11.2013
Сообщений: 60
Репутация: 10
0 18
0 0
 
23.10.2014 22:52 #9
Цитата:
Сообщение от lllll
Naglesh
А посмотреть datasheet на диоды не позволяют убеждения?
В справочниках эта инф есть.
Смотрел, но ответа не вижу. Предлагаю приложенный пример,
не спорю, на часть вопросов там есть ответы, но в связи с тем, что не на все, я не уверен, что трактую правильно.
максимальный обратный ток Irrm=40ma (1)
Теперь рассмотрим последний график "REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
VS. –di/dt (TYPICAL)"
Во первых, здесь уже обратный ток уже десятки ампер ( и даже сотни), как это согласуется с (1), я не понимаю.
Во вторых, график построен при Vr=600, как масштабировать по напряжению( это кстати основная проблема), я не понимаю.
И третье, я не вижу ограничений на скорость роста обратного напряжения.
P.S. Правда, возможно, я ошибаюсь из-за того, что рассматриваю только диод, а нужно рассматривать диод последовательно с индуктивностью(L), тогда скорость роста напряжение напряжение здесь не имеет особого значения, а лишь изменение тока связного с напряжением соотношением –Ldi/dt=V(t). Если это так, то снимаются 3 и 2 пункт этого сообщения, и все вопросы темы. ЭТО ТАК?
P.P.S На первое замечание, можно предположить, что Irrm -это усредненное за полупериод - отсюда, по предложенному графику можно найти условие на "сгорание". Но опять же, это я просто предполагаю. ЭТО ТАК?
Вложения
Тип файла: pdf mXqwxru.pdf (58.2 Кб, 0 просмотров)
Последний раз редактировалось Naglesh; 23.10.2014 в 23:40.
Оценка
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,268
Репутация: 2207
2,193 1,125
40 83
 
24.10.2014 00:42 #10
Naglesh
как это согласуется с (1), я не понимаю.
Irrm=40ma - значение для статического режима.
график "REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
Отображает динамический режим. Токи, уже десятки ампер ( и даже сотни), в момент переключения - влияние накопленного заряда Reverse recovery charge
Оценка
Ответ
Страница 1 из 2
Метки
востановление диода
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Часовой пояс GMT +3, время: 12:15.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх