Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Транзистор с высоким hFE на малых токах коллектора

Страница 1 из 3
Знаток
 
Аватар для iev91
 
Регистрация: 12.10.2009
Адрес: Тольятти
Сообщений: 231
Репутация: 86
74 10
1 0
 
28.10.2014 23:12 #1
Для создания стабильного источника тока величиной 35 мкА я выбрал схему токового зеркала Уилсона. Помогите выбрать NPN транзистор , у которого коэффициент усиления не слишком сильно падает при малых токах коллектора. У большинства транзисторов он уменьшается в 1.5-2 раза от номинала, и как правило, график кончается на токе коллектора 0.2 мА.

Ток базы прибавляется к току эмиттера, и поэтому вызывает ошибку, обратно пропорциональную коэффициенту усиления, которая зависит от температуры. Поэтому нужно выбрать транзистор с высоким усилением при низких токах.
Изображения
Тип файла: gif источник тока.GIF (15.8 Кб, 0 просмотров)
Последний раз редактировалось iev91; 29.10.2014 в 00:35.
Оценка
Эксперт
 
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,341
Репутация: 884
849 124
9 5
 
29.10.2014 01:55 #2
hFE при малых токах снижается у всех транзисторов. Если задача стоит в уменьшении влияния тока базы, то лучшие результаты будут при использовании транзисторов с большими значениями этого параметра, например, КТ3102Е (hFE > 1000).
Посмотрите вариант прецизионного преобразователя напряжение - ток здесь.
Вложения
Тип файла: doc АзбТранзистСхемотехн.doc (370.5 Кб, 0 просмотров)
Оценка
Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель.
Эксперт
 
Аватар для corbyn50011
 
Регистрация: 17.10.2010
Адрес: Томск
Сообщений: 3,200
Записей в дневнике: 3
Репутация: 912
894 2,597
22 71
 
29.10.2014 08:10 #3

Для создания стабильного источника тока величиной 35 мкА

Тема достойная внимания.
Подробнее.
__________________
Никогда не спорьте с идиотами.Вы опуститесь до их уровня, где они задавят вас своим опытом. МАРК ТВЕН.
...
Оценка
Знаток
 
Регистрация: 20.10.2009
Сообщений: 791
Репутация: 113
97 231
1 30
 
29.10.2014 11:56 #4
При таком токе очень желательно вместо дискретных Т1-Т4 использовать что-то на одном кристалле.
Оценка
Знаток
 
Аватар для iev91
 
Регистрация: 12.10.2009
Адрес: Тольятти
Сообщений: 231
Репутация: 86
74 10
1 0
 
29.10.2014 13:05 #5
Спасибо всем. Для данного конкретного случая я нашел решение - поставлю полевой транзистор 2N7002. А так, как поставлена, задача у меня не решилась. Неплохо выглядит график DC gain у 2sc2412, но коэффициент маловат, что-то около 250.

Насчет сборок транзисторов - я бы с радостью, но у нас в наличии их нет и не будет. Поэтому я уже давно не забочусь о таких вещах, как кратковременный температурный градиент, удовлетворяясь долговременной стабильностью разнесенных транзисторов, находящихся близко на одной плате.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 20.10.2014
Сообщений: 22
Репутация: 19
9 0
1 0
 
30.10.2014 09:47 #6
Если не подыскать подходящую однокристальную двойку, то, может это и старо, но в период работы над диссертацией я исследовал НЧ-шумы в микрорежиме (токи ниже 100мкА) и вышел на 100%-й результат, что идеальным по усилению и шумам был наш КТ3102Д именно Д, а не Е. Как тут упоминалось.
Оценка
Эксперт
 
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,341
Репутация: 884
849 124
9 5
 
30.10.2014 10:00 #7
Коли заговорили о НЧ шумах, в одном из журналов "Радио" была предложена схема УВ магнитофона, в котором входной каскад выполнен на двух параллельно включённых транзисторах структуры p-n-p (КТ3107). Я уж не помню, какие исследования проводились, но утверждалось, что это лучше, чем КТ3102.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 10.07.2009
Сообщений: 36
Репутация: 13
3 1
0 0
 
30.10.2014 12:33 #8
iev91-полистайте подшивки журналов "ПТиЭ" ( Приборы и техника експеримента), "РТ" ( радиотехника ) .По памяти - там были схемки для источников питания уникальных приборов со стабильными параметрами для мкА _ых токов.
Оценка
Знаток
 
Регистрация: 26.07.2012
Адрес: Украина
Сообщений: 320
Репутация: 87
74 11
1 2
 
30.10.2014 14:05 #9
Можно полистать "1300 схем" Графа, Хоровиц и Хилл "Искусство схемотехники", Титце и Шенк "Полупроводниковая схемотехника". 20-30 лет назад были редкостью но и сейчас иногда в них заглядываю. Приобрел и не жалею, возможно появилось что-то новое но новые книги пересказанные старые, часто с потерей доступности и точности изложения.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 20.10.2014
Сообщений: 22
Репутация: 19
9 0
1 0
 
30.10.2014 23:47 #10
Два маленьких комментария.
1. Титце и Шенк "Полупроводниковая схемотехника" настольная книга каждого инженера (как я ее называю), была переиздана в двух томах ДМК Пресс, в 2008 (есть в интернете). Такие книги не стареют.
2. К вопросу о шумах. Я исследовал шумы на транзисторных тройках усилитель (с генератором тока в нагрузке)-повторитель-усилитель с обратной связью по постоянному току, местными по постоянному напряжению и общей по переменному (задающей АЧХ). Про лучший вариант я промолчал, так как до сих пор считаю его неподтвержденным теорией феноменом - это был КТ361Г на токе менее 50мкА. На базе моей работы был сделан УВ для перспективной, разработанной одним из моих КБ модели магнитофона МП-121. Она была выполнена на базе лицензионного ЛПМ Noris Plank ("Вильма") с первой советской сендастовой головкой ("Вильма"). Ее отдача была всего 0,24мВ нормаьного решения по ее использованию еще не было, мы были первые. Мы имели на упомянутой мной структуре стабильный результат по отношению с/ш превышающий 60дБ (ток коллектора 84мкА). Если учитывать что даже эталонная лента BASF давала всего 49дБ, то этого было более, чем достаточно.
3. Любое параллельное соединение дает увеличения шума, все что об этом пишут - от лукавого. Мы пробовали - ничего в нашем случае не получилось. Постройте модель с источниками шума и все увидите сами. Именно из-за этого любой дифкаскад дает ухудшение шумов на 3дБ по сравнению с одиночным транзистором. Но есть зависимость между оптимальном током коллектора первого транзистора и сопротивлением источника сигнала (естественно, нужно учитывать импеданс). Ну и в завершение, очень большой шум дает разделительный конденсатор на входе, часто это превышает шум транзистора. Поэтому источник сигнала нужно включать без него. Варианта два. Это смещать эмиттер вторым напряжением или включать источник сигнала в цепь ОС по постоянному току, что есть тоже самое, но под несколько другим соусом.
Оценка
Ответ
Страница 1 из 3
Опции темы Поиск в этой теме
Поиск в этой теме:

Расширенный поиск
Оценка этой теме
Оценка этой теме:
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Часовой пояс GMT +3, время: 00:00.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх