Цитата:

Первое в отрасли решение с нулевым током потребления для защиты от переполюсовки питания промышленных электроинструментов и устройств автоэлектроники Texas Instruments (TI) представила первый в отрасли контроллер интеллектуальных диодов с нулевым током потребления, способный обеспечить намного бульшую эффективность, чем диоды Шоттки или p-канальные MOSFET. Благодаря низкому потреблению мощности и компактности законченного решения микросхема LM74610-Q1 хорошо подойдет для защиты от обратной полярности подключения питания сильноточных промышленных электроинструментов и устройств автомобильной электроники.

Подробнее: Контроллер интеллектуальных диодов компании Texas Instruments потребляет нулевую мощность

Интересная микросхема, учитывая, что она не заземлена и "висит в воздухе", паразитируя на внешнем полевике. Сразу даже удивило, как такое возможно. Но стоит вникнуть в даташит, и всё становится понятным. При старте по-прежнему эксплуатируется паразитный диод транзистора, падение напряжения на котором выступает в качестве источника питания для "charge pump", заряжающего внешний конденсатор до напряжения достаточного для надёжного управления затвором и, видимо, питания самой м/с.

Но интересен не сам принцип защиты на полевике. Ведь после шунтирования диода открытым транзистором, микросхеме вроде бы неоткуда взять питание. Мне кажется, самое интересное происходит, когда конденсатор разрядится, что рано или поздно произойдёт. И тогда, если я правильно прочитал даташит, микросхема закроет транзистор, и "подзарядится" напряжением на диоде, после чего вновь отопрёт MOSFET. И так со скважностью 90-98%. Т.е. 2-10% всего рабочего времени транзистор заперт и полный ток схемы течёт через диод. Что в общем-то накладывает ограничение на параметры последнего, т.к. диод не должен быть слишком хорошим, а иметь прямое падение напряжения достаточное для питания LM74610, около 0,5В. На странице 13 даташита приведены расчёты.

Тем не менее, в устройствах с батарейным питание часто можно встретить защиту от переполюсовки именно на полевых транзисторах.

Решение оригинальное, бесспорно!. Уважаемый antonydublin правильно прочитал даташит. Стоит заметить, что микросхему целесообразно использовать с достаточно мощными устройствами, когда пульсации выходного напряжения на уровне десятков милливольт не имеют существенного значения. (42 мВ согласно даташит).

Меня не покидает ощущение некоторой избыточности и нагромождения. Ради незначительного повышения эффективности работы защиты наложены существенные ограничения в использовании типов MOSFET (перечислены в даташит), плюс ко всему в выходном токе появляются помехи. Что же, это цена за "нулевое потребление энергии". Кроме того, на функциональной схеме неправильно указаны сток и исток (рис.2).

Ничего не сказано про конденсатор, хранящий заряд для питания микросхемы. Какие требования к нему, чтобы обеспечить эффективность 98%? Очевидно, чем больше его токи утечки, тем чаще MOSFET будет закрываться.

Совершенно умиляет даташит на 30 листах (как для процессора). В этой связи вспоминается анекдот: - Господа, тема достаточно простая, по-этому я буду говорить долго.

Разработчики молодцы! Не важно, насколько востребована будет микросхема. Главное- она разработана, внедрена в серийное производство.
Маркетологи потрудились на славу! Вот бы у нас так, да всегда бы!

Схема позволяет экономить 0,4- 0,8 Вт на 1 ампер. Что актуально при низком напряжении и больших токах. Похожая "навеска" есть для синхронных выпрямителей.

В 2011 г. подобное двуногое было уже, 16A 40V:
SPV1002 - Cool bypass switch for photovoltaic applications