Новые микросхемы памяти производятся по технологии 10-нм.
Компания Samsung Electronics в апреле 2013 года начала массовый выпуск микросхем 3-bit MLC NAND flash-памяти объемом 128 Гб, выполненных по технологии 10 нм.
Эти превосходные по своим параметрам микросхемы позволят создавать запоминающие устройства с высокой плотностью записи, такие как встраиваемые NAND-накопители и твердотельные жесткие диски.
NAND flash-память емкостью 128 Гб основана на 3-битных многоуровниевых ячейках (3-bit MLC) и 10-нм технологическом процессе. Она обладает самой высокой плотностью записи в отрасли и самой высокой скоростью передачи данных 400 Мб/с по интерфейсу Toggle DDR 2.0.
Благодаря 128 Гб NAND flash-памяти Samsung увеличит выпуск карт памяти объемом 128 ГБ, на которых можно хранить до 16 видеофайлов формата full HD размером 8 ГБ каждый. Кроме того, это позволит увеличить объемы производства твердотельных накопителей с плотностью более 500 ГБ для их широкого распространения в компьютерных системах. Также Samsung достанется ведущая роль в процессе вытеснения жестких дисков твердотельными накопителями на рынке ноутбуков.
Спрос на 3-bit MLC NAND flash-память и емкость 128 Гб стремительно растет, что приводит к повсеместному применению твердотельных накопителей объемом свыше 250 ГБ. Ярким примером может послужить серия Samsung SSD 840.
В ноябре прошлого года Samsung начала выпуск микросхем MLC NAND flash-памяти объемом 64 Гб, произведенных по технологии 10 нм, а через пять месяцев пополнила семейство запоминающих устройств с высокой плотностью записи новыми микросхемами NAND flash-памяти емкостью 128 Гб. Новые микросхемы расширяют представленную в 2010 году линейку 3-bit NAND flash-памяти объемом 64 Гб, выполненную по 20-нм технологии. Кроме того, новые устройства более чем в два раза превосходят по скорости своих 64-гигабитных предшественников.
