Новые приборы F-RAM расширяют диапазон емкостей самых экономичных микросхем энергонезависимой памяти, предназначенных для особо ответственных приложений
Cypress Semiconductor представила семейство микросхем сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (F-RAM) емкостью 4 Мбит, имеющих самую высокую в отрасли плотность упаковки среди подобных микросхем с последовательным интерфейсом. Максимальная частота интерфейса SPI новых приборов равна 40 МГц, а диапазон рабочих напряжений – 2.0 … 3.6 В. Микросхемы выпускаются в стандартных для отрасли корпусах, соответствующих предписаниям директивы RoHS. Все микросхемы F-RAM компании Cypress выдерживают 100 триллионов циклов записи/считывания, сохраняя данные в течение 10 лет при температуре 85 °C и 151 год при температуре 65 °C.
Микросхемы F-RAM компании Cypress являются идеальным решением для приложений, работающих в режиме постоянных и частых обращений для чтения и записи при абсолютной безопасности данных. Последовательные микросхемы F-RAM емкостью 4 Мбит предназначены, в первую очередь, для особо ответственных приложений, таких, в частности, как средства промышленного управления и автоматизации, многофункциональные принтеры, контрольно-измерительные приборы и носимые медицинские устройства.
Доступность
В настоящее время предлагаются опытные образцы последовательной F-RAM емкостью 4 Мб в стандартных корпусах 8EIAJ и 8TDFN. Начало серийного производства запланировано на 4 квартал 2015 года.
