Новое решение Samsung в области DRAM указывает на то, что TSV становится господствующей технологией в приложениях памяти большой емкости
Компания Samsung анонсировала начало массового производства первых в отрасли 128-гигабайтных модулей памяти DDR4, изготовленных по технологии «переходные отверстия в кремнии» (through silicon via – TSV) и предназначенных для корпоративных серверов и дата-центров.
Вслед за представленным компанией Samsung в 2014 году первым в мире модулем 3D TSV DDR4 DRAM емкостью 64 ГБ, новый TSV модуль регистровой памяти (RDIMM) символизирует еще один прорыв, открывающий двери в пространство приложений корпоративного уровня для памяти ультра высокого объема. При наибольшей емкости и наивысшей энергоэффективности среди всех современных модулей DRAM, новый модуль TSV DRAM компании Samsung демонстрирует высокое быстродействие и отличную надежность.
На 128-гигабайтном TSV DDR4 RDIMM установлены в общей сложности 144 чипа DDR4, размещенных в 36 корпусах 4 ГБ DRAM, каждый из которых содержит по четыре 8-гигабитных кристалла, изготовленных по техпроцессу 20 нм и соединенных с использованием новаторской технологии корпусирования TSV.
 |
| Корпус четырехуровневого модуля памяти 3DS TSV DRAM компании Samsung. |
В обычных корпусах микросхем стеки кристаллов соединяют проволочными выводами, в то время как в корпусах TSV уложенные друг на друга с зазором в несколько десятков микрометров кристаллы прошиты сотнями мелких отверстий и вертикально соединены электродами, проходящими через эти отверстия, что позволяет значительно увеличить скорость передачи сигналов. Помимо наивысшей в отрасли емкости и передовой схемотехники TSV, 128 ГБ модуль TSV DDR4 на каждом основном кристалле 4-гигабайтного корпуса имеет встроенный буфер данных, оптимизирующий производительность и энергопотребление модуля.
Инновационный 128 ГБ TSV DDR4 RDIMM обеспечивает энергоэффективное решение для серверов следующего поколения со скоростями обмена с памятью до 2400 Мбит/с. Новые модули DRAM имеют почти удвоенную производительность и сниженное на 50 процентов энергопотребление по сравнению с модулями DRAM наивысшего объема предыдущего поколения – 64 ГБ LRDIMM, мощность рассеивания и быстродействие которых ограничиваются использованием обычных проволочных соединений четырехкристальных стеков.
На растущий спрос на DRAM ультравысокой емкости Samsung отвечает наращиванием объемов производства продуктов, основанных на технологии TSV, и быстро приближается к освоению чипов DRAM емкостью 8 ГБ с проектными нормами 20 нм, которые позволят повысить эффективность производственного процесса. Укрепляя свое технологическое превосходство, компания планирует в ближайшее время представить полную линейку новых высокопроизводительных модулей TSV DRAM, включая 128-гигабайтные DIMM со сниженной нагрузкой на сигнальные шины (LRDIMM).
Кроме того, Samsung продолжит поддерживать технологическое лидерство, предлагая TSV DRAM с улучшенными характеристиками. В частности, это будут модули со скоростями передачи данных до 2667 Мб/с, и даже до 3200 Мб/с, которые помогут удовлетворить возрастающие потребности корпоративных серверов, а также распространить TSV приложения на высокоскоростную память и потребительские продукты.
