ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL
РадиоЛоцман - Все об электронике

Toshiba расширяет ассортимент устройств встроенной флеш-памяти NAND для автомобильных систем

Устройства соответствуют требованиям AEC-Q100 Grade2

Подразделение решений для хранения данных и электронных устройств корпорации Toshiba объявило сегодня о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC e•MMC™ версии 5.1 [1] и требованиям спецификации AEC-Q100 Grade2 [2]. В ассортименте представлены устройства емкостью 8, 16, 32 и 64 ГБ. Начало серийного производства запланировано на второй квартал (апрель–июнь) 2017 года.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Toshiba расширяет ассортимент устройств встроенной флеш-памяти NAND для автомобильных систем

В новых устройствах кристаллы памяти NAND, изготовленной по технологическому процессу 15 нм, объединены с контроллером, что позволяет реализовать базовые функции управления памятью NAND в одном корпусе. Новые продукты дополняют существующую серию памяти e•MMC компании Toshiba с диапазоном рабочих температур от -40 до +85 °C, необходимым для работы в информационно-развлекательных автомобильных системах. Они могут применяться в таких компонентах, как приборные панели, где требуется работа устройств хранения данных на основе памяти e•MMC при повышенных температурах до +105 °C.

На рынке автомобильных систем продолжает расти спрос на флеш-память NAND, связанный с развитием автомобильных информационно-развлекательных систем, систем ADAS [3] и систем автономного вождения. Для удовлетворения этого спроса компания Toshiba расширяет серию высокопроизводительных устройств памяти высокой плотности и будет по-прежнему занимать лидирующие позиции на рынке.

Toshiba также разрабатывает автомобильные устройства UFS [4], отвечающие требованиям AEC-Q100.

Главные особенности

1.  Встроенное управление флеш-памятью NAND.

Интерфейс, соответствующий требованиям JEDEC e•MMC версии 5.1, обеспечивает работу основных функций, в том числе управление блоком записи, коррекцию ошибок и программное обеспечение драйвера. Это упрощает разработку систем, позволяя производителям минимизировать расходы на проектирование и сократить время выхода на рынок новых и обновленных продуктов. Кроме того, возможности применения новых устройств расширены за счет добавления новых функций [5] стандарта JEDEC e•MMC версии 5.1, таких как BKOPS Control, Cache Barrier, Cache Flushing Report, Large RPMB Write и Command Queuing.

2.  Расширенный диапазон температур

Диапазон рабочих температур от -40 до +105 °C.

Компания Toshiba также провела дополнительные испытания надежности для соответствия требованиям AEC-Q100 Grade2.


Примечания

[1]   e•MMC™ — категория изделий для устройств встроенной памяти, разработанных в соответствии с требованиями стандарта JEDEC e•MMC. Обозначение является товарным знаком JEDEC Solid State Technology Association.

[2] Требования сертификации электрических компонентов, разработанные Automotive Electronics Council (AEC).

[3] Расширенная система помощи водителю.

[4] Универсальный флеш-накопитель: категория изделий для устройств встроенной памяти, разработанных в соответствии с требованиями стандарта JEDEC.

[5] BKOPS Сontrol — функция, позволяющая главному устройству разрешить устройству памяти выполнение операций в фоновом режиме при его бездействии. Cache Barrier — функция, управляющая временем записи данных кэша на чип памяти. Cache Flushing Report — функция, информирующая главное устройство о том, используется ли в устройстве памяти режим записи кэшированных данных FIFO (First In First Out), или нет. Large RPMB Write — функция, которая позволяет увеличить размер данных для записи в область RPMB до 8 КБ.

*Маркировка изделий соответствует используемым микросхемам памяти, а не емкости для хранения данных, доступной конечному пользователю. Часть емкости зарезервирована для управления устройством. Смотрите технические характеристики или обратитесь к местному торговому представителю компании Toshiba. (В целях измерения емкости устройств памяти в этом контексте принимается 1 ГБ = 1 073 741 824 байта).

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя