Toshiba представляет мощные МОП-транзисторы с каналом n-типа на 40 и 45 В с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала

Последнее дополнение серии низковольтных устройств на основе технологического процесса U-MOS IX-H

Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H и представляет новые устройства на 40 и 45 В, обладающие самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала [1] среди приборов своего класса и высоким быстродействием. Новые транзисторы (девять моделей на напряжение 40 В и пять моделей на 45 В) предназначены для работы в промышленных и бытовых устройствах, включая высокоэффективные преобразователи постоянного тока, высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный, источники питания и приводы электродвигателей.

В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки последнего поколения U-MOS IX-H для низковольтных устройств, что позволяет сочетать ведущее в отрасли [1] низкое сопротивление в открытом состоянии в своем классе и низкий выходной заряд и добиться эффективной и быстрой работы устройства. Максимальное значение R_DS(ON) (при V_GS = 10 В) составляет от 0.80 до 7.5 мОм в зависимости от устройства.

Новая структура позволяет снизить показатель добротности R_DS(ON)•Q_SW [2], повышая эффективность переключения до уровня, превосходящего характеристики выпускающихся в настоящее время устройств Toshiba [3]. Потери на выходе снижаются за счет снижения выходного заряда, что обеспечивает более высокую эффективность устройств. Кроме того, структуры ячеек новых МОП-транзисторов оптимизированы для подавления импульсных напряжений и затухающих колебаний при переключении, что помогает снизить уровень электромагнитных помех в системе.

В качестве основных корпусов используются SOP-Advance размером 5 мм × 6 мм и TSON-Advance размером 3 мм × 3 мм. Все новые устройства поддерживают управление сигналами логического уровня 4.5 В.

---

Примечания