International Rectifier представила IRF8010 семейство HEXFET® мощных MOSFET транзисторов с сопротивлением перехода на 10% меньшим, чем у предыдущих устройств. Новые транзисторы имеют высокую плотность тока и низкое сопротивление включенного состояния (12 мОм).
Новые MOSFET транзисторы рассчитаны на повторный и импульсный поток энергии, EAR и EAS, при температуре до 175°C. Кроме этого они имеют минимизированную входную емкость и заряд перехода, что позволяет упростить схему драйвера при улучшении импульсной производительности. Характеристики производительности новых IRF8010 MOSFET транзисторов делают их идеальными для высокоэффективных блоков бесперебойного питания с изолированной топологией и для DC-DC преобразователей.
Новые устройства полностью протестированы и хорошо себя ведут в условиях повышенной температуры, обычно возникающей в системах контроля двигателей.
Температурные характеристики позволяют разработчикам проектировать надежные устройства, способные функционировать в экстремальных условиях.
Маркировка | VDSS | Сопр. перехода(ON) | Iпр | RthJ-C | Темп. | Корпус |
IRF8010 | 100V | 12mW | 80A | 0.57°C/W | 175° | TO-220 |
IRF8010L | 100V | 12mW | 80A | 0.57°C/W | 175° | TO-262 |
IRF8010S | 100V | 12mW | 80A | 0.57°C/W | 175° | D2Pak |
Цены и условия поставки
Новые транзисторы уже поступили в продажу по цене от US $0.624 за IRF8010 в 5000-х партиях.