HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL
РадиоЛоцман - Все об электронике

Diodes анонсирует новую серию быстродействующих драйверов затворов в корпусах SO-8

Diodes DGD2003S8 DGD2005S8 DGD2012S8

Компания Diodes анонсировала новое семейство высоковольтных быстродействующих драйверов затворов для преобразователей, инверторов, приводов двигателей и усилителей класса D. Устройства могут использоваться в схемах управления двигателями с напряжениями до 100 В, и в то же время поддерживают приложения преобразования энергии при напряжении 200 В. Благодаря этим особенностям они хорошо подходят для широкого спектра потребительских и промышленных конструкций, включая электроинструменты, робототехнику и дроны, а также небольшие электромобили.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Diodes - DGD2003S8, DGD2005S8, DGD2012S8

200-вольтовые драйверы затворов DGD2003S8, DGD2005S8 и DGD2012S8, рассчитанные на полумостовое или автономное включение внешних транзисторов, выпускаются в стандартных низкопрофильных корпусах SO-8. Для создания в выходных каскадах этих устройств плавающего канала верхнего плеча, позволяющего использовать бутстрепное управление при напряжениях до 200 В или управлять двумя N-канальными MOSFET в полумостовой топологии, применена технология изоляции перехода.

Все устройства серии имеют входы управления с триггерами Шмитта и стандартными ТТЛ/КМОП логическими уровнями и могут работать при напряжении питания от 3.3 В, что упрощает интерфейс драйверов со схемами управления. Выходные каскады микросхем выдерживают отрицательные выбросы напряжения и содержат цепи блокировки при пониженных напряжениях в верхнем и нижнем плечах драйверов.

Вытекающий и втекающий токи равны 290 мА и 600 мА, соответственно, для DGD2003S8 и DGD2005S8 и 1.9 А и 2.3 А для DGD2012S8. Мертвое время прибора DGD2003S8 внутренне фиксировано на уровне 420 нс, в то время как максимальное время задержки распространения DGD2005S8 при переключении между верхним и нижним плечом равно 30 нс.

DGD2003S8, DGD2005S8 и DGD2012S8, рассчитанные на расширенный диапазон рабочих температур от –40 °C до +125 °C, поставляются в корпусах SO-8.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: New Series of High-Side/Low-Side Gate Drivers from Diodes Incorporated Delivers Higher Performance in an SO-8 Package

19 предложений от 8 поставщиков
IC: driver; полумост MOSFET; контроллер затвора; SO8; -600÷290мА
ЧипСити
Россия
DGD2003S8-13
Diodes
47 ₽
Utmel
Весь мир
DGD2003S8-13
Diodes
от 69 ₽
ЭИК
Россия
DGD2003S8-13
Diodes
от 77 ₽
DGD2003S8-13
Diodes
от 96 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя