KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.
РадиоЛоцман - Все об электронике

IXYS начала серийное производство нового драйвера SiC MOSFET и IGBT

IXYS IX4351NE

IXYS, подразделение компании Littelfuse, приступила к серийному производству микросхемы драйвера IX4351NE, предназначенного для управления SiC MOSFET и IGBT большой мощности. Раздельные 9-амперные выходы истоков и стоков позволяют настраивать времена включения и выключения, минимизируя потери переключения. Внутренний зарядовый насос обеспечивает регулируемое отрицательное напряжение смещения затвора для улучшения устойчивости к dV/dt и уменьшения времени выключения.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

IXYS - IX4351NE

Схема детектора выхода из насыщения обнаруживает состояние токовой перегрузки внешнего SiC MOSFET и инициирует плавное отключение, предотвращая потенциальную опасность повреждения из-за высокой скорости изменения напряжения dV/dt. Логический вход IN, совместимый с ТТЛ и КМОП, не требует преобразования уровня даже при отрицательном напряжении смещения драйвера затвора. Безопасность работы обеспечивается цепями защиты от пониженного напряжения и перегрева кристалла. Выход «Неисправность» с открытым стоком сигнализирует микроконтроллеру об аварийном режиме.

Параметры IX4351NE гарантируются в диапазоне рабочих температур от –40 °C до +125 °C. Устройство выпускается в 16-выводном корпусе SOIC со сниженным тепловым сопротивлением.

Основные характеристики

  • Отдельные выводы истоков и стоков с допустимыми пиковыми токами 9 А;
  • Диапазон рабочих напряжений от –10 В до +25 В;
  • Внутренний регулятор на основе зарядового насоса для выбора отрицательного напряжения смещения затвора;
  • Обнаружение выхода из насыщения с мягким отключением драйвера;
  • Входы, совместимые с ТТЛ и КМОП;
  • Защита от пониженного напряжения;
  • Отключение при перегреве;
  • Выход «Неисправность» с открытым стоком;

Области применения

  • Драйверы SiC MOSFET и IGBT;
  • Бортовые зарядные устройства и зарядные станции;
  • Промышленные инверторы;
  • Корректоры коэффициента мощности, AC/DC и DC/DC преобразователи.
Оценочная плата для микросхемы IX4351
Оценочная плата для микросхемы IX4351.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: IXYS launches mass production of new SiC MOSFET and IGBT driver

20 предложений от 9 поставщиков
IC: driver; SO16-EP; -9÷9А; Ch: 2; -10÷25В; OUT: неинвертирующий
Utmel
Весь мир
IX4351NE
IXYS
от 241 ₽
Элитан
Россия
IX4351NE
Littelfuse
378 ₽
ЭИК
Россия
IX4351NE
IXYS
от 468 ₽
ЧипСити
Россия
IX4351NE
IXYS
626 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя